刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）