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單項(xiàng)選擇題三相橋式全控整流電路，必須保證（）只晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，才能形成回路。

A.1
B.2
C.3
D.4

1.單項(xiàng)選擇題單相半波可控整流電路，變壓器利用率低，且二次測(cè)通過含直流分量的電流，使變壓器存在（）現(xiàn)象。

A.半控整流
B.電流降低
C.全控整流
D.直流磁化現(xiàn)象

2.單項(xiàng)選擇題三相橋式全控整流電路中的單寬脈沖觸發(fā)方式，即脈沖寬度大于（），小于120°，一般取80°～100°。

A.30°
B.90°
C.45°
D.60°

3.單項(xiàng)選擇題三相半波不可控整流電路，輸出電壓一周期內(nèi)脈動(dòng)次數(shù)為（）次，脈動(dòng)頻率為150Hz。

A.1
B.2
C.3
D.4

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會(huì)使晶閘管（）。

A.反向擊穿
B.正向?qū)?br/>C.硬導(dǎo)通
D.反向?qū)?/p>

5.單項(xiàng)選擇題電力電子技術(shù)的發(fā)展是以（）為核心發(fā)展起來的。

A.晶閘管
B.電力電子器件
C.二極管
D.電力晶體管

6.單項(xiàng)選擇題以下三相交流調(diào)壓電路，適用于各種負(fù)載的是（）。

A.負(fù)載Y 形連接帶中性線的三相交流調(diào)壓電路
B.晶閘管與負(fù)載連接成內(nèi)三角形的三相交流調(diào)壓電路
C.三個(gè)晶閘管接于Y 形負(fù)載中性點(diǎn)的三相交流調(diào)壓電路
D.三相三線交流調(diào)壓電路

7.單項(xiàng)選擇題IGBT 開關(guān)速度（）電力MOSFET。

A.大于
B.等于
C.小于
D.不確定

8.單項(xiàng)選擇題型號(hào)為KK200-9的晶閘管額定電壓是（）。

A.9V
B.90V
C.200V
D.900V

9.單項(xiàng)選擇題帶電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中，當(dāng)控制角α=0°時(shí)，輸出電壓連續(xù)，晶閘管導(dǎo)通角皆為（）。

A.30°
B.90°
C.60°
D.120°

10.單項(xiàng)選擇題帶電感性負(fù)載的三相半波可控整流電路中，當(dāng)控制角α=（）時(shí)，輸出電壓波形的正負(fù)面積相等，其電壓平均值為0。

A.150°
B.90°
C.60°
D.120°