單項(xiàng)選擇題水浸法檢測(cè)時(shí),在鋁件中產(chǎn)生純橫波的折射角應(yīng)不小于()

A.14°
B.22°
C.32°
D.45°


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1.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)縱波斜入射至側(cè)壁的描述;哪個(gè)是正確的()

A.由于分離出較強(qiáng)的橫波,縱波反射系數(shù)很低
B.由于分離出較強(qiáng)的橫波,縱波衰減嚴(yán)重
C.由于分離出較強(qiáng)的橫波,可以接收到反射橫波
D.以上都是

2.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)雙晶片探頭(聯(lián)合雙探頭)的描述,哪個(gè)是正確的()

A.存在聲能集中區(qū)
B.下盲區(qū)小
C.掃查時(shí),隔聲層應(yīng)盡量與缺陷方向垂直
D.以上都是

3.單項(xiàng)選擇題沿試塊上表面?zhèn)鞑サ谋砻娌▽?huì)發(fā)生以下哪種情況()

A.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生繞射
B.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生反射
C.被尖銳的邊緣拐角吸收
D.以上都可能發(fā)生

4.單項(xiàng)選擇題考慮傳輸修正的理由是()

A.被檢工件太厚
B.工件底面與探測(cè)面不平行
C.工件與試塊材質(zhì)或表面光潔度有差異
D.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)利用底波高度法評(píng)定缺陷的描述,哪個(gè)是正確的()

A.可利用缺陷的陰影效果進(jìn)行評(píng)價(jià)
B.可不考慮傳輸修正
C.常用于對(duì)缺陷定量不嚴(yán)格的工件
D.有助于檢測(cè)因缺陷形狀等原因使反射信號(hào)減弱的大缺陷