A.當(dāng)SSD改變時(shí),TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR減小
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A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小,射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線(xiàn),任何深度處等劑量由線(xiàn)射線(xiàn)中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線(xiàn),任何深度處等劑量曲線(xiàn)射線(xiàn)中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn),在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn),在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn),在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線(xiàn)的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會(huì)改變
B.射野的劑量均勻性不變,半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好,半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)增寬
A.l個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)
E.16個(gè)
A.計(jì)時(shí)器的準(zhǔn)確性
B.18mm頭盔準(zhǔn)直器的總輸出劑量
C.每個(gè)頭盔的相對(duì)輸出因子
D.每個(gè)靶點(diǎn)的定位坐標(biāo)
E.應(yīng)急電源
A.機(jī)器輸出劑量率的變化
B.外照射中的平方反比參數(shù)
C.射野中擋塊對(duì)輸出劑量的影響
D.托盤(pán)因子的影響
E.契形因子的影響
A.1.138×10-4C/kg div
B.1.798×10-4C/kg div
C.2.936×10-4C/kg div
D.4.074×10-4C/kg div
E.5.21×10-4C/kg div
最新試題
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線(xiàn)質(zhì)(能量)的高低。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱(chēng)性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱(chēng)為射線(xiàn)質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線(xiàn)能量。