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問(wèn)答題 設(shè)題圖電路中場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)V_P=-4V，I_DSS=2mA，gm=1.2mS，試求放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)Q、電壓放大倍數(shù)A_V、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro，并畫出該電路的微變等效電路（電路中所有電容容抗可略去，r_ds可看作無(wú)窮大）。

參考答案：

該電路的微變等效電路

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1.問(wèn)答題 電路如題圖所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm，試寫出Au、Ri和Ro的表達(dá)式。

參考答案：

2.問(wèn)答題 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路如題圖所示，電路參數(shù)V_DD=24V，R_D=56kΩ，R_G=1MΩ，R2=4kΩ場(chǎng)效應(yīng)管的V_P=-1V，I_DSS=1mA；若要求漏極電位V_D=10V，試求R1的值。

參考答案：

3.問(wèn)答題 題圖（a）是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路，（b）是管子的轉(zhuǎn)移特性曲線。設(shè)電阻R_G=1MΩ，R_D=R_L=18kΩ，電容C1、C2、C3足夠大。試問(wèn)：
R_G、R_S、C₃的作用是什么？若要求V_GS=-2V，則Rs應(yīng)選多大？

參考答案：

4.問(wèn)答題 題圖（a）是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路，（b）是管子的轉(zhuǎn)移特性曲線。設(shè)電阻R_G=1MΩ，R_D=R_L=18kΩ，電容C1、C2、C3足夠大。試問(wèn)：
所用的管子屬于什么類型？什么溝道？管子的I_DSS、V_P或V_T是多少？

參考答案：

5.問(wèn)答題強(qiáng)型MOS管能否單獨(dú)用自給偏置的方法來(lái)設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)？為什么？試畫出用P溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成的共源電路，并說(shuō)明各元件作用。

參考答案：