A.MOSFET是場控器件,靜態(tài)時幾乎不需輸入電流,開通關(guān)斷過程時間長
B.MOSFET是場控器件,靜態(tài)時柵極需輸入大電流,開通關(guān)斷過程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲存效應(yīng),開通關(guān)斷過程非常迅速
D.MOSFET是場控器件,靜態(tài)時需輸入大電流,開通關(guān)斷過程時間長
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A.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)
A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象,但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關(guān)
B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線
C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關(guān)
D.GTR的安全工作區(qū)是矩形的
A.允許流過最大電流的平均值
B.允許流過最大方波電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大的工頻正弦半波電流的平均值
A.晶閘管加反向電壓時,只要門極也加反向電壓,則晶閘管反向?qū)?br/>B.反向特性類似于二極管的反向特性
C.晶閘管不允許加反向電壓,如果加反向電壓,立刻擊穿
D.晶閘管加反向電壓時,只要門極電流幅值較大,則晶閘管反向?qū)?/p>
A.要使晶閘管關(guān)斷,則晶閘管的陽極電流要降到1A以下
B.要使晶閘管關(guān)斷,只能要求晶閘管門極電流等于0
C.要使晶閘管關(guān)斷,則晶閘管的陽極電流要降到接近于零的某一數(shù)值以下
D.要使晶閘管關(guān)斷,只能在晶閘管兩端加反向電壓
A.在晶閘管陽極——陰極之間無論加正向或反向電壓,只要門極加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
B.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓,門極也加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
C.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓,門極加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
D.在晶閘管陽極、門極(都相對于陰極)加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
A.晶閘管具有PNP或NPN三層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
B.晶閘管具有PNP和NPN六層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
C.晶閘管具有PN或NP兩層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
D.晶閘管具有PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
A.允許流過最大方波電流的平均值
B.允許流過最大電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大工頻正弦半波電流的平均值
A.電力二極管的基本原理就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br/>B.電力二極管加正向電壓后其正向壓降為0.7V
C.電力二極管加反向電壓就會被擊穿
D.電力二極管正向?qū)ê?,其正向壓降?V
A.電力電子器件一般都工作在開通狀態(tài)
B.能處理電功率的能力,一般遠(yuǎn)大于處理信息的電子器件
C.電力電子器件的開通與斷開一般不需要由信息電子電路來控制
D.電力電子器件一般都工作在關(guān)斷狀態(tài)
最新試題
3個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計,可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計數(shù)器。
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個脈沖它就加一,很顯然它是一個()加法計數(shù)器。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計時,74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
uo與ui大小相等,相位相反,此時的電路稱為反相器,或倒相器。
3位二進(jìn)制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會下降。
將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個電路具有自起功能。
4位二進(jìn)制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。