A.相鄰位單元交界處必須變換磁化電流方向
B.相鄰位單元交界處，電流方向不變
C.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值相同時(shí)，交界處變換電流方向
D.當(dāng)相鄰兩位數(shù)值不同時(shí)，交界處變換電流方向
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A.采用奇偶校驗(yàn)
B.采用海明校驗(yàn)
C.采用循環(huán)碼校驗(yàn)
D.需同時(shí)采用兩種校驗(yàn)
A.主存
B.磁盤(pán)
C.固存（或光盤(pán)）
D.高速緩存
A.采用直接程序傳送方式（查詢(xún)等待方式）
B.只采用中斷方式
C.只采用DMA方式
D.既有DMA方式也有中斷方式
A.M2F制
B.不歸零－1制
C.調(diào)相制
D.調(diào)頻制
A.必須指明外圍設(shè)備的設(shè)備號(hào)
B.必須指明外圍接口中寄存器的地址碼
C.必須同時(shí)指明外圍設(shè)備號(hào)與接口中寄存器的總線地址
D.對(duì)單獨(dú)編址方式，可以指明設(shè)備號(hào)或端口地址。對(duì)統(tǒng)一編址方式，可以指明寄存器的總線地址
最新試題
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問(wèn)、低功耗和大容量？（）
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜（1）一個(gè)指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對(duì)所有指令都相同。（2）一個(gè)指令周期中，（）對(duì)多數(shù)指令所完成的功能是類(lèi)似的。（3）一條指令在執(zhí)行過(guò)程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動(dòng)連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成？（）
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱(chēng)為（）
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱(chēng)為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。