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A.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
B.磁帶
C.磁盤(pán)
D.光盤(pán)
A.800ns
B.250ns
C.200ns
D.120ns
A.電平的高低變化
B.電流的幅值變化
C.電流的相位變化
D.電流的頻率變化
A.內(nèi)圈磁道存儲(chǔ)的信息比外圈磁道少
B.無(wú)論哪條磁道存儲(chǔ)的信息量均相同，但各磁道的存儲(chǔ)密度不同
C.內(nèi)圈磁道的扇區(qū)少使得它存儲(chǔ)的信息比外圈磁道少
D.各磁道扇區(qū)數(shù)相同，但內(nèi)圈磁道上每扇區(qū)存儲(chǔ)的信息少
最新試題
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱(chēng)為（）
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
若I/O類(lèi)指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
（）又稱(chēng)字選法，所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪(fǎng)問(wèn)、低功耗和大容量？（）