A.縮短
B.延長(zhǎng)
C.不變
D.不一定
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A.較高;較快
B.較高;較慢
C.較低;較快
D.較低;較慢
A.6個(gè)月
B.9個(gè)月
C.1年
D.2年
A.u<5mV
B.u<10mV
C.u<20mV
D.u<50mV
A.2ms
B.5ms
C.10ms
D.20ms
A.先斷開絕緣電阻表與設(shè)備的連接,再停止絕緣電阻表
B.先停止絕緣電阻表,再斷開絕緣電阻表與設(shè)備的連接
C.斷開絕緣電阻表與設(shè)備的連接和停止絕緣電阻表同時(shí)操作
D.先對(duì)設(shè)備進(jìn)行放電,再進(jìn)行其他操作
最新試題
40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應(yīng)在分閘狀態(tài)下按每支套管進(jìn)行測(cè)量。
通過(guò)負(fù)載試驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)變壓器油箱蓋或套管法蘭等損耗過(guò)大發(fā)熱的缺陷。
描迷電場(chǎng)的電力線總是起始于正電荷,終止于負(fù)電荷,電力線既不閉合、不間斷、不相交。
重大缺陷消缺率和及時(shí)率的要求分別為90%和85%。
在現(xiàn)場(chǎng)相同條件下(好天氣),用介損儀測(cè)量小電容試品的tgδ和Cx時(shí),用正接線方法和反接線方法測(cè)量結(jié)果是完全相同的。
電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過(guò)硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
220kV斷路器的開斷電流為21kA,將它更換為31.5kA的斷路器。更換斷路器后開斷容量是S=U×I=220×31.5=6930MVA。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí),當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí),應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。