A.1~5
B.10~40
C.60~100
D.100~500
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A.使動(dòng)、靜觸頭接觸良好
B.增加彈簧壓力
C.減少?gòu)椈蓧毫?br />
D.以上都不是
A.全部繞組的絕緣狀態(tài)
B.1/2繞組的絕緣狀態(tài)
C.1/4繞組絕緣狀態(tài)
D.只反映下部鐵芯繞組絕緣狀態(tài),即110V級(jí)1/2繞組、220kV級(jí)1/4繞組的絕緣狀態(tài)
A.負(fù)棒時(shí)放電電壓高
B.正棒時(shí)放電電壓高
C.負(fù)棒時(shí)放電電壓低
D.與棒的極性無關(guān)
A.鐵損耗
B.銅損耗
C.附加損耗
D.介質(zhì)損耗
A.空氣中正極性電壓下?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)較高
B.空氣中負(fù)極性擊穿電壓分散性較低
C.空氣中負(fù)極性電壓下?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)較高
D.空氣中正極性擊穿電壓分散性較低
最新試題
描述磁場(chǎng)的磁力線,是一組既不中斷又互不相交,卻各自閉合,既無起點(diǎn)又無終點(diǎn)的回線。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
將兩臺(tái)試驗(yàn)變壓器串級(jí)進(jìn)行交流耐壓試驗(yàn)時(shí),若第一級(jí)試驗(yàn)變壓器串級(jí)繞組極性接反,會(huì)造成最終輸出試驗(yàn)電壓為零。
通過通過調(diào)整缺陷設(shè)備的運(yùn)行方式并不能使設(shè)備的缺陷降級(jí),因?yàn)槿毕萑匀淮嬖凇?/p>
將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中,并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置,簡(jiǎn)稱可控串補(bǔ)。
GIS耐壓試驗(yàn)之前,進(jìn)行老化(凈化)試驗(yàn)的目的是:使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場(chǎng)區(qū),并通過放電燒掉細(xì)小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃,以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度,避免不必要的破壞或返工。
在現(xiàn)場(chǎng)采用介損儀測(cè)量設(shè)備的介損tgδ時(shí),若存在電場(chǎng)干擾,則在任意測(cè)試電源極性的情況下,所測(cè)得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。
電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。
采用搖表(或接地電阻測(cè)試儀)由于輸出測(cè)試電流小,不用布放那么長(zhǎng)的電壓線和電流線。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。