交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

重大缺陷消缺率和及時(shí)率的要求分別為90%和85%。

GIS耐壓試驗(yàn)之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗(yàn)的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場(chǎng)區(qū)，并通過(guò)放電燒掉細(xì)小微?；螂姌O上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。

若儀表刻度不均勻，則在分度線較密的部分，讀數(shù)誤差較大，靈敏度也較低。

當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。

電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。

通過(guò)通過(guò)調(diào)整缺陷設(shè)備的運(yùn)行方式并不能使設(shè)備的缺陷降級(jí)，因?yàn)槿毕萑匀淮嬖凇?/p>

描迷電場(chǎng)的電力線總是起始于正電荷，終止于負(fù)電荷，電力線既不閉合、不間斷、不相交。

在現(xiàn)場(chǎng)采用介損儀測(cè)量設(shè)備的介損tgδ時(shí)，若存在電場(chǎng)干擾，則在任意測(cè)試電源極性的情況下，所測(cè)得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。

將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開(kāi)關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡(jiǎn)稱(chēng)可控串補(bǔ)。