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單項(xiàng)選擇題溫度越高，熱缺陷生成能（）。

A.越高
B.不變
C.越低

1.單項(xiàng)選擇題對于離子化合物，晶體中總共有（）種點(diǎn)缺陷基本形式。

A.5
B.6
C.8
D.10

2.單項(xiàng)選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)’’表示帶（）個(gè)電荷。

A.-1
B.+2
C.-2
D.+1

3.單項(xiàng)選擇題熱缺陷可以分為（）類。

A.1
B.2
C.3
D.4

4.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷根據(jù)成分可以分為（）類。

A.1
B.2
C.3
D.4

5.單項(xiàng)選擇題晶體結(jié)構(gòu)缺陷按照其尺度范圍（即按照偏離理想結(jié)構(gòu)的周期性有規(guī)律排列的區(qū)域大小）來分類，可分為（）類。

A.2
B.3
C.4
D.6