A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
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A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
A.代碼轉(zhuǎn)換
B.邏輯函數(shù)
C.乘法運(yùn)算
D.計(jì)數(shù)器
A.EPROM
B.E2PROM
C.PLA
D.PAL
A.不
B.紫外線
C.電
D.高壓電
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
A.00
B.01
C.10
D.無(wú)法確定
最新試題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
電可擦除的PROM器件是（）
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。