TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）

小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為（）

與倒T形電阻網(wǎng)絡DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。

7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。

DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？

10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。

以下哪個編碼不能是二－十進制譯碼器的輸入編碼（）

如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。

采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。