A.0.52H
B.0.54H
C.0.48H
D.0.46H
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A.產(chǎn)生同方向之磁場以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場以反抗磁通之增加
如圖
所示電路，求a、b兩端的總電感Lab=（）
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如圖
所示，鐵心的BC=0.5Wb/m2，假設(shè)鐵心與氣隙之截面積相同，求在氣隙中之磁場強度為何（）
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
如圖
所示，C1為33μF，充滿電后，把開關(guān)S由A移至B點，則C1之電壓降為75V后達穩(wěn)定，假設(shè)C2之初電壓為零，則C2值為（）
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
最新試題
?電路如圖所示，已知R為一個0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器，要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化，假設(shè)第2級增益為0.5V/V，則（）。
如圖所示，描述錯誤的一項是（）。
放大電路中，判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是（）。
?下列對集成運放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。
基極分壓射極偏置式放大電路中，發(fā)射極電阻Re的主要作用是（）。
在分析阻容耦合式放大電路過程中，畫直流通路通路時，電容應(yīng)作（）處理。
如圖所示電路中，二極管都是理想的，則電壓Uab=（）V。
電路如圖所示，則（）。
關(guān)于電路模型，下列說法錯誤的一項是（）。
?與單門限比較器相比，以下對遲滯比較器的描述不合理的是（）。