A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦無(wú)電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
A.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變時(shí)的輸出電流過(guò)小。
B.限制逆變角的最大值,其目的是為了防止逆變失敗而無(wú)法工作。
C.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止輸出電壓太小而無(wú)法工作。
D.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變失敗。
最新試題
碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來(lái)表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
3個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。
全加器的輸入信號(hào)是()
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
全加器的輸出信號(hào)是()