計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的，在某級(jí)觀察者角度看到的機(jī)器被稱為（），只需要通過(guò)該級(jí)語(yǔ)言來(lái)了解和使用。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無(wú)法確定是否正確。（4）使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號(hào)位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位，或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來(lái)判斷。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲(chǔ)矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲(chǔ)器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無(wú)論是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器還是靜態(tài)存儲(chǔ)器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實(shí)際上是對(duì)另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中，（）是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲(chǔ)器有三種地址空間，其中（）用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級(jí)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器系統(tǒng)，是建立在程序運(yùn)行的（）原理之上的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。

若I/O類(lèi)指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問(wèn)的最小單位被稱為（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫(xiě)出[X]反，正確結(jié)果為（）。