從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

在堆棧計(jì)算機(jī)中，保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場所是（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無論是動(dòng)態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實(shí)際上是對另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中，（）是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲器有三種地址空間，其中（）用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)，是建立在程序運(yùn)行的（）原理之上的。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。