A.一個具體地址只能對應(yīng)輸入/輸出設(shè)備
B.一個具體地址只能對應(yīng)內(nèi)存單元
C.一個具體地址既可對應(yīng)輸入/輸出設(shè)備，又可對應(yīng)內(nèi)存單元
D.一個具體地址只對應(yīng)輸入/輸出設(shè)備或只對應(yīng)內(nèi)存單元
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A.統(tǒng)一編址方法
B.獨(dú)立編址方法
C.兩者都是
D.兩者都不是
A.不同的地址線
B.不同的地址碼
C.不同的控制線
D.都不對
A.時鐘周期
B.機(jī)器周期
C.工作周期
D.指令周期
A.時鐘周期
B.機(jī)器周期
C.訪問周期
D.指令周期
A.機(jī)器周期
B.指令周期
C.存儲周期
D.時鐘周期
最新試題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。
在計算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位，或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個進(jìn)位輸出的（）操作來判斷。
在堆棧計算機(jī)中，保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場所是（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
（）又稱字選法，所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。