MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

磁滯回線

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

內(nèi)光電效應(yīng)

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。