判斷題可以采用小信號電路模型進行靜態(tài)工作點的分析。

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1.單項選擇題下列場效應管中，無原始導電溝道的為（）。

A.N溝道JFET
B.增強~AIPMOS管
C.耗盡型NMOS管
D.耗盡型PMOS管

2.單項選擇題當UGS＝0時，（）管不可能工作在恒流區(qū)。

A.JFET
B.增強型MOS管
C.耗盡型MOS管
D.NMOS管

3.單項選擇題（）具有不同的低頻小信號電路模型。

A.NPN型管和PNP型管
B.增強型場效應管和耗盡型場效應管
C.N溝道場效應管和P溝道場效應管
D.晶體管和場效應管

4.單項選擇題輸入（）時，可利用H參數(shù)小信號電路模型對放大電路進行交流分析。

A.正弦小信號
B.低頻大信號
C.低頻小信號
D.高頻小信號

5.單項選擇題根據(jù)國產(chǎn)半導體器件型號的命名方法可知，3DG6為（）。

A.NPN型低頻小功率硅晶體管
B.NPN型高頻小功率硅晶體管
C.PNP型低頻小功率鍺晶體管
D.NPN型低頻大功率硅晶體管