A.是通過觸診或影像學(xué)檢查確定的腫瘤細(xì)胞集中的體積
B.可以是原發(fā)病灶
C.可以使轉(zhuǎn)移的淋巴結(jié)
D.包含潛在的受侵犯組織
E.是與照射技術(shù)有關(guān)的區(qū)域
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A.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染減小
A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護極組成
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量
D、指形電離室通常用來校準(zhǔn)中高能X線以及4MeV以上的電子線
E、指形電離室?guī)в袠?biāo)準(zhǔn)厚度的平衡帽,其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目
A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系
最新試題
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
等效射野指的是通過計算換算后的方形野。