A.源的活度和能量是常見的輻射探測(cè)目標(biāo)
B.測(cè)量源的位置與遠(yuǎn)近距離可以用在輻射成像等領(lǐng)域上
C.暫時(shí)無法通過測(cè)量的信息分析入射粒子的種類
D.可以測(cè)量粒子的飛行時(shí)間
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A.HPGe和Ge(Li)用于組成γ譜儀,Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si(Li)探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si(Li)探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè),因?yàn)樗有驍?shù)低,反散射小
D.Si(Li)探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線
A.電流脈沖寬度約為μs量級(jí)
B.反符合技術(shù)有助于提高探測(cè)器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測(cè)器的相對(duì)探測(cè)效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開方,求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計(jì)漲落、漏電流和噪聲均會(huì)造成探測(cè)器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來的漲落可以通過適當(dāng)提高偏置電壓減小
A.平面型探測(cè)器,吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
B.信號(hào)脈沖上升時(shí)間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的位置有關(guān)
C.同軸型探測(cè)器,吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
D.輸出電壓脈沖信號(hào)是前沿不變的
A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式,靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同
最新試題
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
測(cè)量厚樣品α源,下列說法正確的是()。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法?()
常見的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
關(guān)于加速器中子源,描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)探測(cè)器本征探測(cè)效率沒有影響的是()。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。