A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源,不產(chǎn)生其他射線(xiàn)
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達(dá)到MeV量級(jí)
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A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線(xiàn)反應(yīng)產(chǎn)生中子
D.與α射線(xiàn)反應(yīng)產(chǎn)生中子
A.(β,n)型中子源
B.(α,n)型中子源
C.(γ,n)型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計(jì)數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來(lái)源其實(shí)是β射線(xiàn)
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線(xiàn)強(qiáng)度大,能量高,而γ射線(xiàn)強(qiáng)度低時(shí),軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量,是系統(tǒng)弄錯(cuò)了,應(yīng)該把這些計(jì)數(shù)去掉
B.可能同時(shí)發(fā)生了兩個(gè)能量完全沉積的事件,系統(tǒng)把這兩個(gè)10keV的計(jì)數(shù)合成為了一個(gè)20keV的計(jì)數(shù)
C.這個(gè)峰大部分計(jì)數(shù)的來(lái)源應(yīng)該是環(huán)境的射線(xiàn)影響
D.降低γ射線(xiàn)強(qiáng)度,這個(gè)峰的計(jì)數(shù)應(yīng)該會(huì)升高
最新試題
吸收和散射對(duì)探測(cè)器活度測(cè)量也有影響,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
測(cè)量厚樣品α源,下列說(shuō)法正確的是()。
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
對(duì)于β射線(xiàn)活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)探測(cè)器本征探測(cè)效率沒(méi)有影響的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。