A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來(lái)自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
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A.符合測(cè)量對(duì)真偶符合比沒(méi)有要求
B.為保證高的真偶符合比,電子學(xué)分辨時(shí)間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變,源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計(jì)數(shù)率情況下更常見(jiàn)
B.偶然符合的事件同時(shí)發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時(shí)到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合
A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時(shí),符合計(jì)數(shù)率的變化曲線
B.信號(hào)的時(shí)間離散對(duì)符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時(shí)符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合,快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時(shí)間決定
A.延遲符合改變了相關(guān)事件發(fā)生的物理過(guò)程
B.延遲符合的順利實(shí)現(xiàn)需要對(duì)相關(guān)事件的物理過(guò)程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過(guò)電子學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的
D.相關(guān)事件不同時(shí)時(shí),一般可以考慮利用延遲符合技術(shù)
A.反符合電路利用“或”門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)
B.反符合中的兩個(gè)事件必須是完全無(wú)關(guān)的
C.反符合的功能可以利用多個(gè)探測(cè)器實(shí)現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設(shè)計(jì)、探測(cè)器信號(hào)連接上都完全不同
最新試題
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
測(cè)量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是()。
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。