A.超出了最大能量,是系統(tǒng)弄錯了,應該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件,系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度,這個峰的計數(shù)應該會升高
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A.反符合技術可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比,電子學分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變,源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關
C.偶然的情況下同時到達符合電路的非關聯(lián)事件引起的符合
D.不相關的事件都可以認為屬于偶然符合
A.符合曲線是指延遲關系變化時,符合計數(shù)率的變化曲線
B.信號的時間離散對符合曲線有影響
C.理想的電子學瞬時符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合,快符合的符合曲線寬度主要由電子學分辨時間決定
A.延遲符合改變了相關事件發(fā)生的物理過程
B.延遲符合的順利實現(xiàn)需要對相關事件的物理過程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過電子學系統(tǒng)實現(xiàn)的
D.相關事件不同時時,一般可以考慮利用延遲符合技術
最新試題
下列關于反應堆中子源的描述錯誤的是()。
關于加速器中子源,描述錯誤的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
關于24Na-9Be中子源的描述不正確的是()。
測量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個明顯的峰,對于這些計數(shù)的分析正確的是()。
對于(D,D)反應和(D,T)反應,下列描述正確的是()。
下列對于常用的中子探測器的描述不正確的是()。
下列關于同位素源的特點的描述不正確的是()。
關于符合的描述,下列說法正確的是()。
軔致輻射對γ能譜的影響,描述錯誤的是()。