單項選擇題關于PN結半導體探測器，下列說法正確的是（）。
A.結區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關
C.結區(qū)電容與外加電壓無關
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
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1.單項選擇題關于半導體作為探測器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯誤的是（）。
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率
2.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關鍵？（）
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
3.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導體是屬于間隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
4.單項選擇題與氣體探測器相比，下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點？（）
A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結構緊湊
D.不易受射線損傷
5.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構成部分？（）
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
最新試題
下列哪項不屬于中子探測方法？（）
題型：單項選擇題
下列關于符合曲線描述錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
吸收和散射對探測器活度測量也有影響，下列說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
關于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
題型：單項選擇題
測量β射線的活度，下列說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
對偶然符合描述正確的是（）。
題型：單項選擇題
小立體角法是測量α源活度的手段之一，關于此方法的描述錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
下列對探測器本征探測效率沒有影響的是（）。
題型：單項選擇題
改變下列哪項不會對活度探測產(chǎn)生明顯影響？（）
題型：單項選擇題
下列對真偶符合比的描述正確的是（）。
題型：單項選擇題