單項(xiàng)選擇題改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測(cè)產(chǎn)生明顯影響?()

A.測(cè)量開(kāi)始的時(shí)間
B.探測(cè)器本征探測(cè)效率
C.環(huán)境本底的計(jì)數(shù)率
D.源與探測(cè)器幾何位置關(guān)系


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1.單項(xiàng)選擇題測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法,下列描述錯(cuò)誤的是()。

A.相對(duì)法需要一個(gè)已知活度的源作參照
B.使用相對(duì)法測(cè)量更加簡(jiǎn)便,所以是活度測(cè)量的基本方法
C.絕對(duì)法復(fù)雜一些,要結(jié)合各種實(shí)際的情況因素進(jìn)行考慮
D.為保證結(jié)果的精確性,使用絕對(duì)法測(cè)量時(shí)可以多次測(cè)量進(jìn)行分析

2.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)于輻射測(cè)量關(guān)心的問(wèn)題的描述,錯(cuò)誤的是()。

A.源的活度和能量是常見(jiàn)的輻射探測(cè)目標(biāo)
B.測(cè)量源的位置與遠(yuǎn)近距離可以用在輻射成像等領(lǐng)域上
C.暫時(shí)無(wú)法通過(guò)測(cè)量的信息分析入射粒子的種類(lèi)
D.可以測(cè)量粒子的飛行時(shí)間

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器和高純鍺探測(cè)器的應(yīng)用,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.HPGe和Ge(Li)用于組成γ譜儀,Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si(Li)探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si(Li)探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè),因?yàn)樗有驍?shù)低,反散射小
D.Si(Li)探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器和高純鍺探測(cè)器的性能,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.電流脈沖寬度約為μs量級(jí)
B.反符合技術(shù)有助于提高探測(cè)器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測(cè)器的相對(duì)探測(cè)效率約為19%
D.能量線性很好

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器和高純鍺探測(cè)器的能量分辨率,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開(kāi)方,求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計(jì)漲落、漏電流和噪聲均會(huì)造成探測(cè)器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來(lái)的漲落可以通過(guò)適當(dāng)提高偏置電壓減小