單項(xiàng)選擇題

用萬用表直流電壓檔，測(cè)得電路中晶體管（硅管）各電極相對(duì)于某一參考點(diǎn)的電位如圖所示，從而可以判斷出該晶體管工作在（）

A.放大狀態(tài)
B.飽和狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.倒置狀態(tài)


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1.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體是在純凈的本征半導(dǎo)體中加入（）

A.自由電子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素

2.單項(xiàng)選擇題在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度取決于（）

A.溫度
B.摻雜元素
C.摻雜濃度
D.摻雜工藝

3.單項(xiàng)選擇題硅二極管和鍺二極管的死區(qū)電壓分別約為（）

A.0.6V；0.6V
B.0.6V；0.1V
C.0.1V；0.6V
D.0.1V；0.1V

4.單項(xiàng)選擇題

已知某FET的輸出特性如圖所示，試判別它是（）

A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.N溝道JFET
C.P溝道耗盡型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET

5.單項(xiàng)選擇題

某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，則該管是（）

A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.P溝道JFET
C.N溝道增強(qiáng)型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET