單項(xiàng)選擇題帶反電動勢負(fù)載的單相橋式全控整流電路中，在（）時，晶閘管才承受正電壓有導(dǎo)通可能。

A.U2=E
B.U2＜E
C.U2＞E
D.U2≦E


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1.單項(xiàng)選擇題以下不是晶閘管過電壓保護(hù)的是（）。

A.晶閘管關(guān)斷過電壓及保護(hù)
B.交流側(cè)過電壓及保護(hù)
C.直流側(cè)過電壓及保護(hù)
D.過電流繼電器保護(hù)

3.單項(xiàng)選擇題帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路輸出電壓波形只在電源（）出現(xiàn)。

A.正半周
B.負(fù)半周
C.一次側(cè)繞組
D.二次側(cè)繞組

4.單項(xiàng)選擇題晶閘管交流側(cè)過電壓保護(hù)常用措施有（）。

A.并聯(lián)阻容吸收電路
B.利用閥型避雷器
C.具有穩(wěn)壓特性的非線性電阻器
D.以上都是

5.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)管（MOSFET）主要采用何種結(jié)構(gòu)形式？（）

A.P 溝道耗盡型
B.P 溝道增強(qiáng)型
C.N 溝道耗盡型
D.N 溝道增強(qiáng)型

6.單項(xiàng)選擇題以下不是電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展方向的是（）。

A.集成化
B.高效化
C.低壓化
D.智能化

7.單項(xiàng)選擇題以下哪些負(fù)載屬于電阻性負(fù)載（）。

A.電爐
B.電感
C.蓄電池
D.直流電動勢的電樞

8.單項(xiàng)選擇題下面哪個不屬于晶閘管的電極（）。

A.陽極
B.陰極
C.門極
D.柵極

9.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止得臨界點(diǎn)是（）。

A.峰點(diǎn)
B.谷點(diǎn)
C.轉(zhuǎn)折點(diǎn)
D.臨界點(diǎn)