單項選擇題?對于電力晶體管的描述錯誤的是（）。

A.比電壓型器件驅動功率小
B.兩種載流子導電
C.存在二次擊穿現(xiàn)象
D.具有全控性


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1.單項選擇題?關于單相交流調壓電路的輸出電壓，表述正確的是（）

A.晶閘管單相交流調壓電路對晶閘管控制角α進行控制，調節(jié)輸出電壓
B.晶閘管單相交流調壓電路對晶閘管的導通與關斷周期數(shù)進行控制，調節(jié)輸出電壓
C.晶閘管單相交流調壓電路僅對晶閘管的導通周期數(shù)進行控制，調節(jié)輸出電壓與電流
D.晶閘管單相交流調壓電路僅對晶閘管的導通周期數(shù)進行控制，調節(jié)輸出電壓與電流以及功率因數(shù)

2.單項選擇題?關于規(guī)則采樣法與自然采樣法，表述正確的是（）

A.用計算機實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，自然采樣法比規(guī)則采樣法更容易實現(xiàn)，計算量少
B.用計算機實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，規(guī)則采樣法比自然采樣法更容易實現(xiàn)
C.用計算機實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，自然采樣法與規(guī)則采樣法是一樣的，只是稱謂不同而已
D.用計算機實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，自然采樣法與規(guī)則采樣法是一樣的，稱謂不同是電路的結構不同造成的

3.單項選擇題?關于DC/DC電流可逆斬波電路，表述正確的是（）

A.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負，故可工作于第1象限和第3象限
B.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負，故可工作于4個象限
C.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負，但輸出電壓是一種極性，故可工作于第1象限、第2象限和第3象限
D.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負，但輸出電壓是一種極性，故可工作于第1象限和第2象限

4.單項選擇題關于電力電子裝置過電流保護，表述正確的是（）

A.如果電力電子裝置中已經安裝了快速熔斷器，則不需要其它過電流保護措施
B.對重要的、且易發(fā)生短路的晶閘管設備或全控型器件，需采用電子電路進行過電流保護，響應最快
C.快速熔斷器僅用于部分區(qū)段的過載保護
D.快速熔斷器僅用于短路時保護

5.單項選擇題關于驅動電路的電氣隔離，表述正確的是（）

A.電力電子器件驅動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
B.電力電子器件驅動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
C.電力電子器件驅動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離
D.電力電子器件驅動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離

6.單項選擇題有關功率集成電路，表述正確的是（）

A.將功率自關斷器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路
B.將功率自關斷器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路封裝在一起，稱為功率集成電路
C.功率自關斷器件稱為功率集成電路
D.功率半控器件的驅動集成電路稱為功率集成電路

7.單項選擇題關于絕緣柵雙極晶體管開關速度，表述正確的是（）

A.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件，其開關速度比GTR慢
B.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件，其開關速度比電力MOSFET快
C.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件，其開關速度比GTR快
D.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復合器件，其驅動電流很大

8.單項選擇題?門極可關斷晶閘管GTO半導體結構是（）

A.門極可關斷晶閘管GTO不是PNPN四層半導體結構
B.門極可關斷晶閘管GTO與晶閘管SCR的半導體結構不一樣
C.門極可關斷晶閘管GTO是PPPN四層半導體結構
D.門極可關斷晶閘管GTO是PNPN四層半導體結構

9.單項選擇題電力變換通常包括哪幾類？（）

A.AC/DC和DC/AC兩大類
B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大類
C.AC/DC、DC/AC、DC/DC三大類
D.DC/AC、DC/DC、AC/AC三大類

10.單項選擇題可再生能源可分為持續(xù)性和間歇性能源，如下表述正確的是（）

A.間歇性能源包括風能和太陽能
B.熱電廠、水電廠、生物燃料廠和光伏系統(tǒng)所產生的能源代表典型的持續(xù)性能源
C.熱電廠、水電廠、生物燃料廠所產生的能源代表典型的間歇性能源
D.間歇性能源包括風能、太陽能和生物燃料廠所產生的能源