單項(xiàng)選擇題對放大電路輸出級(jí)的要求是：若希望負(fù)載變化時(shí)輸出電壓不變，則要求（）

A.低輸出電阻與低阻負(fù)載配合
B.高輸出電阻與低阻負(fù)載配合
C.高輸出電阻與高阻負(fù)載配合
D.低輸出電阻與高阻負(fù)載配合


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1.單項(xiàng)選擇題對電壓比較器的特點(diǎn)敘述不正確的是（）。

A.比較器的運(yùn)放工作于開環(huán)或正反饋狀態(tài)，輸入端的虛短特征不再存在
B.輸出與輸入之間呈現(xiàn)非線性特性，輸出不是高電平就是低電平
C.電壓比較器是對輸出信號(hào)進(jìn)行鑒幅與比較的電路
D.由于運(yùn)放的輸入電阻高，輸入電流一般非常小，可以忽略

2.單項(xiàng)選擇題對電壓比較器的電壓傳輸特性敘述不正確的是（）。

A.輸出高、低電平取決于集成運(yùn)放輸出電壓的最大幅度或輸出端的限幅電路
B.閾值電壓是使集成運(yùn)放同相輸入端和反相輸入端電位相等時(shí)所對應(yīng)的電壓
C.無論輸入電壓作用的位置如何，輸入電壓超過閾值電壓時(shí)輸出電壓的躍變方向是一定的
D.電壓傳輸特性用來描述電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓之間的函數(shù)關(guān)系

3.單項(xiàng)選擇題以下無法構(gòu)成自給偏壓電路的場效應(yīng)管為（）

A.結(jié)型
B.耗盡型
C.增強(qiáng)型
D.以上都不對

4.單項(xiàng)選擇題以下對場效應(yīng)管放大電路的敘述正確的是（）。

A.場效應(yīng)管是電流型控制器件，組成放大電路時(shí)其輸入電阻大
B.場效應(yīng)管是電壓型控制器件，組成放大電路時(shí)，其輸入電阻小
C.場效應(yīng)管放大電路的放大倍數(shù)比晶體管組成的放大電路小
D.場效應(yīng)管組成放大電路時(shí)電壓放大系數(shù)大

5.單項(xiàng)選擇題某場效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是（）。

A.增強(qiáng)型PMOS
B.增強(qiáng)型NMOS
C.耗盡型PMOS
D.耗盡型NMOS