問答題
在題圖所示的電路中,VDD=40V,RG=1MΩ,RD≈12kΩ,RS1=RS2=500Ω,場效應(yīng)管的VP=-6V,IDSS=6mA,rds>>RD,各電容都是足夠大
求電路的靜態(tài)值VGSQ、IDQ、VDSQ您可能感興趣的試卷
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要改善分壓式偏置電路的溫度特性,可以用一個(gè)()的熱敏電阻與上偏置電阻RB1并聯(lián)。
題型:單項(xiàng)選擇題
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV,求負(fù)載電阻RL大小。
題型:問答題
不加反饋電路的集成運(yùn)算放大器只能做()。
題型:單項(xiàng)選擇題
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
三種組態(tài)放大電路中,具有電壓反相作用的電路是:()
題型:單項(xiàng)選擇題
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是()
題型:單項(xiàng)選擇題
與變壓器耦合放大器相比,RC耦合放大器具有()的特點(diǎn)。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)混頻器輸入信號的頻率增高一倍時(shí),輸出中頻信號頻率()。
題型:單項(xiàng)選擇題
哪一種傳輸器件傳輸?shù)碾姴l率高?()
題型:單項(xiàng)選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號的()未發(fā)生變化。
題型:單項(xiàng)選擇題