A.鋯鈦酸鉛
B.石英
C.鎳
D.鈦酸鋇
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A.電路圖
B.設(shè)計(jì)圖
C.方塊圖
D.上述3種都不對(duì)
A.折射率
B.超聲波的頻率
C.楊氏摸量
D.聲阻抗
A.用縱波垂直于接口發(fā)射到零件中去
B.用兩種不同震動(dòng)頻率的芯片
C.用Y切割石英晶體
D.適當(dāng)?shù)膬A斜探頭
A.施加電壓脈沖的長(zhǎng)度
B.儀器的脈沖放大器的放大特性
C.壓晶體管的厚度
D.以上3種都不對(duì)
A.Sinθ=直徑平方/4倍波長(zhǎng)
B.Sinθ*直徑=頻率*波長(zhǎng)
C.Sinθ=頻率*波長(zhǎng)
D.Sinθ=1.22波長(zhǎng)/直徑
最新試題
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會(huì)使定量誤差增加。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。