填空題常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的恒定表面源擴(kuò)散過(guò)程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿足()函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的有限表面源擴(kuò)散過(guò)程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿足()函數(shù)分布。

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最新試題

在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型:?jiǎn)柎痤}

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型:多項(xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。

題型:?jiǎn)柎痤}

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?

題型:?jiǎn)柎痤}

在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。

題型:?jiǎn)柎痤}

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。

題型:?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題