比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

版圖設計的基本前提是什么？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。