集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。