A.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流，開通關(guān)斷過程時(shí)間長
B.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)柵極需輸入大電流，開通關(guān)斷過程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，開通關(guān)斷過程非常迅速
D.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)需輸入大電流，開通關(guān)斷過程時(shí)間長

A.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)

A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象，但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關(guān)
B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線
C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關(guān)
D.GTR的安全工作區(qū)是矩形的

A.允許流過最大電流的平均值
B.允許流過最大方波電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大的工頻正弦半波電流的平均值

A.晶閘管加反向電壓時(shí)，只要門極也加反向電壓，則晶閘管反向?qū)?br/>B.反向特性類似于二極管的反向特性
C.晶閘管不允許加反向電壓，如果加反向電壓，立刻擊穿
D.晶閘管加反向電壓時(shí)，只要門極電流幅值較大，則晶閘管反向?qū)?/p>

A.要使晶閘管關(guān)斷，則晶閘管的陽極電流要降到1A以下
B.要使晶閘管關(guān)斷，只能要求晶閘管門極電流等于0
C.要使晶閘管關(guān)斷，則晶閘管的陽極電流要降到接近于零的某一數(shù)值以下
D.要使晶閘管關(guān)斷，只能在晶閘管兩端加反向電壓

A.在晶閘管陽極——陰極之間無論加正向或反向電壓，只要門極加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極電流，則晶閘管導(dǎo)通
B.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓，門極也加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極電流，則晶閘管導(dǎo)通
C.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓，門極加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極電流，則晶閘管導(dǎo)通
D.在晶閘管陽極、門極（都相對于陰極）加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極電流，則晶閘管導(dǎo)通

A.晶閘管具有PNP或NPN三層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
B.晶閘管具有PNP和NPN六層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
C.晶閘管具有PN或NP兩層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
D.晶閘管具有PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

A.允許流過最大方波電流的平均值
B.允許流過最大電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大工頻正弦半波電流的平均值

A.電力二極管的基本原理就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br/>B.電力二極管加正向電壓后其正向壓降為0.7V
C.電力二極管加反向電壓就會(huì)被擊穿
D.電力二極管正向?qū)ê?，其正向壓降?V