A.改變外施電壓大??;
B.改變電路電阻R參數(shù);
C.改變電路電感L或電容C參數(shù);
D.改變回路電流大小。
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A.一次繞組及下鐵芯支架對(duì)二次繞組及地;
B.處于下鐵芯下芯柱的1/4一次繞組及下鐵芯支架對(duì)二次繞組及地;
C.處于下鐵芯下芯柱的的1/4一次繞組端部對(duì)二次繞組端部之間的及下鐵芯支架對(duì)殼之間;
D.上下鐵芯支架。
A.一次繞組對(duì)二次繞組及地;
B.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組對(duì)二次繞組之間;
C.鐵芯支架;
D.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組端部對(duì)二次繞組端部之間。
A.tgδ小;
B.絕緣電阻高;
C.泄漏電流??;
D.在試驗(yàn)電壓下無(wú)局部放電。
A.測(cè)量主電容C1的tgδ和C;
B.測(cè)量分壓電容C2及中間變壓器的tgδ、C和MΩ;
C.電壓比試驗(yàn);
D.檢查引出線的極性。
A.空載損耗和空載電流試驗(yàn);
B.絕緣電阻和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ測(cè)量;
C.局部放電測(cè)量;
D.引出線的極性檢查試驗(yàn)。
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