A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
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A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
PN結(jié)的基本特性是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。