A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
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A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強(qiáng)度等級高的
D、特細(xì)砂配制的
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法