A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
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A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強(qiáng)度等級高的
D、特細(xì)砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。