A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
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A、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對(duì)稱(chēng)于試件的兩端
D、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上，承壓面應(yīng)預(yù)先開(kāi)好安裝槽
A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。