A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
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A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
B、把3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無(wú)誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的15%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),則按另2個(gè)試件的彈性模量測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()