多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于砼劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有()。

A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa


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1.多項(xiàng)選擇題砼立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)中,與試件成型頂面垂直的面有()。

A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面

2.多項(xiàng)選擇題《普通砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50081-2002標(biāo)準(zhǔn)中砼劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法有()。

A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法

3.多項(xiàng)選擇題《普通砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50081-2002標(biāo)準(zhǔn)中砼靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法有()。

A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法

4.多項(xiàng)選擇題《普通砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50081-2002標(biāo)準(zhǔn)中砼抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法有()。

A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓球體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法

5.多項(xiàng)選擇題對(duì)砼靜力受壓彈性模量試驗(yàn)中彈性模量值的確定表述正確的有()。

A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
B、把3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無(wú)誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的15%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無(wú)效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過(guò)后者的20%時(shí),則按另2個(gè)試件的彈性模量測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。

最新試題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題