給定器件結(jié)構(gòu)和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)））。
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。