光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。