多項選擇題光刻工藝的特點包括（）。
A.決定特征尺寸的關鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關
C.光刻工藝過程復雜
D.復印圖像和化學作用相結(jié)合的綜合性技術
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1.單項選擇題光刻工藝的設備核心是（）。
A.掩膜版
B.對準和曝光
C.光刻機
D.光刻膠
2.單項選擇題進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
A.堿溶液清洗
B.有機溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
3.多項選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
4.多項選擇題摻雜后，退火的目的是（）。
A.實現(xiàn)電激活
B.修復損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
5.多項選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法