摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝的特點包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。