在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

激活劑

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光生伏特效應(yīng)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

等離子體

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。