A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
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A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類(lèi)型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
可用作硅片的研磨材料是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()